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本钻研为柔性热电质料的诱惑妄想提供了全新的修筑思绪，正日益受到钻研职员的薄膜e薄关注。从而优化了载流子迁移道路，妨碍证明了MAPbI₃的及界引入清晰抑制了（015）晶面成长，Pb/I异化有利于Sb₂Te₃带隙的面调膜热减小，可是控提，(a) MAPbI₃ 诱惑的电功晶体取向调控以及界面异化展现图。广东省优粤强人（A类），及牛(c)图d所示器件的柔性模拟输入功率。深圳市先进薄膜与运用重点试验室副主任，质料钻研倾向为热电质料与器件。诱惑

图4.制备 Sb₂Te₃ 薄膜的能带妄想与热电功能。增强了（00l）取向。妨碍深圳市高条理强人，及界面上基金、面调膜热(f)试验患上到的S与基于单抛物线模子（SPB）的Pisarenko曲线的比力。Te、

图2.制备薄膜的晶体妄想、同时经由界面异化后退了塞贝克系数,晶格缺陷以及晶界散射的增强清晰飞腾了晶格热导率，(d)差距MAPbI₃含量下的载流子浓度(n)与迁移率(μ)。此外，青年基金名目、Nature Co妹妹unication、广东省低等学校优异青年教师名目，不断多年落选斯坦福大学全天下前2%迷信家榜单。硕士生导师，将MAPbI₃引入Sb₂Te₃薄膜是一种实现高功能柔性热电器件的实用策略，0.1五、Carbon Energy, Advanced Functional Materials, Small, Journal of Materials Chemistry A等期刊宣告论文40余篇。0.3五、深圳市后备级强人。(g)基于密度泛函实际（DFT）合计的Sb₂Te₃与MAPbI₃的杨氏模量。差距MAPbI₃含量下的塞贝克系数 (S)、0.1五、广东省做作迷信二等奖1项。制备的器件表明其在10K温差条件下可实现33.5nW的输入功率，深圳大学物理与光电工程学院特聘教授，使患上质料在250 °C时的热电优值zT抵达0.47。0.20、在之后全天下能源妄想亟需向绿色、深圳市真空学会理事，清晰提升了电子输运能耐。(f)差距笔直半径下薄膜的电阻变更率(ΔR/R₀)。(g)-(i)x = 0.00、有望增长高功能柔性热电器件在未来智能衣着、标明了MAPbI₃复合对于Sb₂Te₃薄膜妄想的实用调控（图2）。深圳大学物理与光电工程学院助理教授，0.十、(d)图c地域中C、自供能传感器等规模的实际运用。(g)与图f中妄想对于应的微应变扩散图。深圳市真空学会副秘书长，薄膜太阳能电池、柔性可衣着配置装备部署等规模。相关钻研下场以“Enhancing Thermoelectric Performance and Flexibility of Sb₂Te₃ Thin Films through MAPbI₃-Induced Crystallographic Orientation Modulations and Interfacial Doping”为题宣告在《Advanced Functional Materials》期刊上。(f)图e的淘汰高分说图像，广东省做作迷信卓越青年基金、上述服从表明，XPS表明制备薄膜中元素具备晃动的化学价态。Energy & Environmental Science等期刊上宣告学术论文200余篇，Journal of Materials Science & Technology、Te、插图为部份地域以及红色矩形地域的快捷傅里叶变更（FFT）图。国家高条理强人“特殊反对于妄想”青年拔尖强人，国内缔造专利授权10余项，

小结

在本钻研中，Nanoscale、Pb 以及I元素扩散图。实现为了热电功能与机械柔性的协同增强。(b)Pb₁Sb₂₃Te₃₅I₁的能带妄想合计服从。

郑壮豪教授，从而降地面穴浓度，

图3.Sb₂Te₃+0.35 wt.% MAPbI₃ 薄膜的微/纳米妄想合成。(b)上述器件的模拟电压扩散图。经由引入有机-有机杂化钙钛矿质料MAPbI₃到层状Sb₂Te₃薄膜中，深圳市外洋高条理强人，

经由对于复合先后薄膜妄想的合成，热电技术因其可直接将热能转化为电能，不断处置新型能源质料以及器件方面的钻研，后退了Seebeck系数。(a)差距 MAPbI₃含量（x = 0.00、0.40）下的电导率(σ)。质料外部组成的大角度晶界等晶格缺陷增强了声子散射，插图为该器件的实物照片。清晰飞腾了晶格热导率。(b)对于图a中红色矩形地域的C、(b)在室温临近，

罗景庭教授，球差电镜的合成进一步表明，负责国家做作迷信基金等名目评审专家、实现Sb₂Te₃薄膜热电功能与柔性的协同增强（图1）。《Sensors and Actuators B: Chemical》等审稿人。深圳市外洋高条理强人妄想C类强人，(c)-(f)Sb、可不断倾向转型的布景下，实现为了热电功能与机械柔性的协同提升，(e)带有以及不带SOC效应的(015)晶面在Γ点临近的能带妄想比力。Carbon Neutralization期刊青年编委，ACS Applied Materials & Interfaces、教育部科技后退一等奖1项，具备广漠的运用远景。插图为其高下地域的FFT图。广东省教育厅青年立异名目、《Applied Physics Letters》、Physical Review B、用于展现可能存在的I_Te以及Pb_Sb点缺陷。

导读

随着可衣着配置装备部署以及柔性电子的迅猛睁开，MAPbI₃在原子尺度上引起了Sb₂Te₃晶体妄想的有序调控，实用散射声子飞腾了晶格热导率，深圳大学物理与光电工程学院副院长，热电质料作为实现自供能器件的中间功能单元，(a)薄膜的高角环形暗场（HAADF）横截面图像。

图5.所制Sb₂Te₃系列薄膜的热电器件功能。(d)Bi₂Te₃-Sb₂Te₃热电器件的实测功能，Sb₂Te₃薄膜在250℃时的热电优值zT从原始的0.20提升至0.47。Sb 以及Te的元素扩散图。在多重机制协同熏染下，最终实现为了zT值的提升（图4）。0.40）下的Sb₂Te₃ + x wt.% MAPbI₃薄膜的X射线衍射（XRD）图谱。深圳大学“荔园优异青年教师”。后退塞贝克系数。MAPbI₃引入的晶体缺陷，Pb以及I的X射线光电子能谱（XPS）图谱。(g)所制薄膜的功率因子(PF)随温度的变更。插图为该图部份的FFT图。此外，好比大角度晶界，

全文链接：https://doi.org/10.1002/adfm.202505424

本钻研经由MAPbI₃诱惑的晶体取向与界面调控，Sb₂Te₃中有MAPbI₃残留地域，同时增强了(00l)晶面取向，经由将MAPbI₃乐成引入Sb₂Te₃薄膜，广东省杰青，基于p型Sb₂Te₃与n型Bi₂Te₃构建的热电器件在10K温差下实现为了33.5nW的输入功率，(a) Sb₂₄Te₃₆的能带妄想合计服从。同时，Physical Review Applied、Pb、并与有限元模拟服从高度不同。0.十、(c)差距MAPbI₃含量（x = 0.00、(e)图a中地域2的高分说Cs-STEM HAADF图像，南山区领航强人，(i) 基于丈量的总热导率估算的热电优值(zT)。获广东省迷信技术奖做作迷信二等奖。传统热电质料在实现高功能与柔性的兼容性方面仍面临重大挑战。(b)所制薄膜中(015)以及(00l)晶面的取向因子合计服从。Applied Physics Letters等国内驰名期刊上宣告SCI论文90余篇。深圳大学郑壮豪特聘教授团队提出了一种立异策略，深圳市外洋高条理强人，法国雷恩大学博士生。国内学术期刊《Biosensors & Bioelectronics》、博士生导师，与此同时，钻研展现，相助编著一部题为《声概况波质料与器件》的今世声学迷信与技术丛书。MAPbI₃分解产物中的Pb以及I元素进一步实现为了异化调控，为低碳能源运用提供了新道路。MAPbI₃的引入调控了Sb₂Te₃的晶体取向，多年来处置热电质料规模的钻研使命，实现为了对于晶体妄想的实用调控。克日，主持国家做作迷信基金面上名目、 

能带妄想合计服从表明，(e)所制薄膜在差距温度下的塞贝克系数 (S)。